anglais vers allemand: Heterojunction solar cells
General field: Sciences
Detailed field: Énergie / génération d'électricité | |
Texte source - anglais
This is an extract of a Wikipedia article I translated. The original article can be found here: https://en.wikipedia.org/wiki/Heterojunction_solar_cell
The article may have evolved from the version I translated.
SHJ cells generally consist of an active crystalline silicon absorber substrate passivated by a thin layer of hydrogenated intrinsic amorphous silicon (denoted as a-Si:H) or nanocrystalline silicon (the "buffer layer") and appropriately doped amorphous selective contacts. The buffer layer material and the substrate have different band gaps, forming the heterojunction that is analogous to the p-n junction of traditional solar cells. The high efficiency of heterojunction solar cells is owed mostly to the excellent passivation qualities of such intrinsic buffer layers,[4][5][6][7] particularly with respect to separating the highly recombination-active metallic contacts from the absorber. Although intrinsic buffer layers are effectively non-conductive, charge carriers can tunnel through as the thickness is typically less than 10 nm. It is advantageous for the passivating layer to have a higher band gap in order to minimise parasitic absorption of photons, as absorption coefficient is partially dependent on band gap.
| Traduction - allemand
Der gesamte deutsche Wikipediaartikel ist verfügbar unter: https://de.wikipedia.org/wiki/Hetero%C3%BCbergangssolarzelle
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SHJ-Solarzellen bestehen im Allgemeinen aus einem kristallinen Silizium-Substrat, das als Absorber agiert und das durch eine dünne Schicht aus intrinsischem, d. h. undotiertem, hydriertem amorphem Silizium (mit a-Si:H bezeichnet) oder nanokristallinem Silizium passiviert ist, und geeignet dotierten, amorphen selektiven Kontakten. Das Material der Passivierungsschicht und das Substrat weisen unterschiedliche Bandlücken auf, wodurch sich ein Heteroübergang bildet, der dem pn-Übergang herkömmlicher Solarzellen entspricht. Der hohe Wirkungsgrad von Heteroübergangssolarzellen ist vor allem auf die hervorragenden Passivierungseigenschaften solch intrinsischer Passivierungsschichten zurückzuführen,[4][5][6][7] insbesondere im Hinblick auf die Trennung des Absorbers von den sehr rekombinationsaktiven Metallkontakten. Obwohl intrinsische Passivierungsschichten faktisch nichtleitend sind, können Ladungsträger durch sie hindurch tunneln, da ihre Dicke üblicherweise weniger als 10 nm beträgt. Um die parasitäre Absorption von Photonen zu minimieren, ist es vorteilhaft, wenn die Passivierungsschicht eine größere Bandlücke aufweist, da der Absorptionskoeffizient unter anderem von der Bandlücke abhängt. |
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