short channel, horizontal gate-all-around nanowire transistors...

Kirsten Schulze (asker) Jul 13, 2018:

Nanu, da fehlt ja die Hälfte meines Texts... ...Hier nochmal der ganze Satz:
Embodiments will now be described with respect to the integration of >>short channel, horizontal gate-all-around nanowire transistors and long channel non-nanowire fin transistors<< for use in the design and operation of integrated circuits.
...sowie meine aktuelle Lösung:
Es werden nun Ausführungsformen in Bezug auf die Integration von >>horizontalen Kurzkanal-Gate-All-Around-Nanodraht-Transistoren (short channel, horizontal gate-all-around nanowire transistors) und Langkanal-Nichtnanodraht-Grat-Transistoren (long channel non-nanowire fin transistors)<< für die Verwendung beim Konzipieren und Betreiben von integrierten Schaltkreisen beschrieben.

Ich denke, man muss da wohl das EN in Klammern mit dazuschreiben. Würdest du statt "horizontalen Kurzkanal-Gate-All-Around-Nanodraht-Transistoren" eher sowas wie "Kurzkanal-Gate-All-Around-Transistoren mit horizontalen Nanodrähten" oder "Kurzkanal-Transistoren mit horizontalen Gate-All-Around-Nanodrähten" empfehlen?
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Auf https://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeff... wird für "fin" das Wort "Grat" benutzt, in einer Dissertation aus dem Fach fand ich "Finne".

Rolf Keller Jul 13, 2018:

Solche Monstren lassen sich kaum direkt übersetzen.

short channel, horizontal gate-all-around nanowire transistors
--> Ein Transistor mit folgendem Aufbau: Der Kanal ist kurz und besteht aus horizontalen Nanodrähten, die alle zusammen vom Gate umschlossen werden.

Da bleibt wahrscheinlich nur die englische Version. Die ist in der Fachsprache eingeführt und jeder Leser versteht sie. Auch wenn man durchaus oft "Kanal" und "Nanodraht" schreibt, die komplett eingedeutschte Kombination führt beim Leser wahrscheinlich zu "Häh?"