soak time

Polish translation: buforowanie, bufor danych, czas buforowania

01:09 Jun 14, 2020
English to Polish translations [PRO]
Tech/Engineering - Electronics / Elect Eng
English term or phrase: soak time
non-volatile memory Excelon offers fast write speeds with no delay, and an effectively unlimited lifespan. It performs write operations at bus speed, eliminating the ‘soak time’ and buffering delays that can cause data loss.
Mirka Lenarcik
Canada
Local time: 05:38
Polish translation:buforowanie, bufor danych, czas buforowania
Explanation:
Excelon F-RAM Advantages

Fast write speed with no write delay

Excelon F-RAM operates with the same host processor interfaces and timing as other memories such as SRAM, EEPROM, and serial Flash, but takes advantage of its fast write speed to eliminate write delays due to “soak time” or page/sector buffering required of other technologies. Instant writes eliminate “data at risk” resulting from unexpected power loss. - https://www.futureelectronics.com/resources/ftm/industrial-a...

--

An obvious advantage over the traditional EEPROM can be observed here: on a traditional EEPROM, the memory is organized in pages, usually 256 bytes long, which allow buffering of the databecause of the inherently slow write operation. The FRAM memory does not use pages, because the memory is written faster than the SPI bus can deliver new information (the data is written at bus speed). Therefore, no buffering is required, and the whole array can be sequentially written. - https://www.mikroe.com/excelon-lp-click

--

Figure 3: During the standard SPI write sequence, Cypress Semiconductor Excelon LP F-RAM devices immediately write data to the F-RAM array without any buffer or soak time delays associated with earlier NVM technologies. (Image source: Cypress Semiconductor) - https://www.digikey.com/en/articles/use-an-f-ram-to-build-ba...

--

Urządzenia pamięci F-RAM Excelon LP zapewniają wysoki poziom długoterminowej niezawodności, który znacznie przewyższa typową pamięć EEPROM czy flash. Urządzenia te charakteryzują się wytrzymałością 1015 cykli odczytu/zapisu i czasem przechowywania danych wynoszącym 151 lat, co przekracza realistyczny cykl życia niemal każdego urządzenia ubieralnego lub IoT.

Wydajność zapisu tych urządzeń zwiększa również ogólną niezawodność zastosowań. Ponieważ urządzenia te zapisują dane do macierzy nieulotnych pamięci F-RAM z prędkością magistrali, znacznie zmniejsza to prawdopodobieństwo utraty danych w porównaniu z innymi typami urządzeń NVM. Znacznie dłuższy czas zapisu w tych urządzeniach i związana z tym konieczność wewnętrznego buforowania danych tworzą duże okno narażenia danych na utratę w przypadku awarii zasilania przed zakończeniem sekwencji zapisu. - https://www.digikey.pl/pl/articles/use-an-f-ram-to-build-bat...

--

Bufor – obszar pamięci służący do tymczasowego przechowywania danych przesyłanych między dwoma systemami - https://pl.wikipedia.org/wiki/Bufor_(programowanie)#

--

https://pl.wikipedia.org/wiki/Buforowanie
Selected response from:

geopiet
Grading comment
4 KudoZ points were awarded for this answer



Summary of answers provided
2czas opóźnienia po zapisie (ang. soak time)
Frank Szmulowicz, Ph. D.
2buforowanie, bufor danych, czas buforowania
geopiet


Discussion entries: 1





  

Answers


10 hrs   confidence: Answerer confidence 2/5Answerer confidence 2/5
czas opóźnienia po zapisie (ang. soak time)


Explanation:
Proponuję definicję opisową.
cccccccccccc
EEPROMs are available in small densities with Flash high endurance and byte writability, which makes them better suited than Flash for the data logging requirements of IoT applications. However, EEPROMs consume a certain amount of time called soak time after every write. Although this delay does not affect most data logging applications, from an IoT perspective it increases current consumption by requiring the system to be in high current mode for a longer time to complete data writes. FRAM technology provides an alternative to Flash and EEPROM by offering virtually infinite endurance, instant non-volatility, higher write speed, and low power operation.
https://www.distilnfo.com/lifesciences/2018/11/06/low-power-...

Frank Szmulowicz, Ph. D.
United States
Local time: 05:38
Specializes in field
Native speaker of: Native in EnglishEnglish, Native in PolishPolish
PRO pts in category: 915
Login to enter a peer comment (or grade)

10 hrs   confidence: Answerer confidence 2/5Answerer confidence 2/5
buforowanie, bufor danych, czas buforowania


Explanation:
Excelon F-RAM Advantages

Fast write speed with no write delay

Excelon F-RAM operates with the same host processor interfaces and timing as other memories such as SRAM, EEPROM, and serial Flash, but takes advantage of its fast write speed to eliminate write delays due to “soak time” or page/sector buffering required of other technologies. Instant writes eliminate “data at risk” resulting from unexpected power loss. - https://www.futureelectronics.com/resources/ftm/industrial-a...

--

An obvious advantage over the traditional EEPROM can be observed here: on a traditional EEPROM, the memory is organized in pages, usually 256 bytes long, which allow buffering of the databecause of the inherently slow write operation. The FRAM memory does not use pages, because the memory is written faster than the SPI bus can deliver new information (the data is written at bus speed). Therefore, no buffering is required, and the whole array can be sequentially written. - https://www.mikroe.com/excelon-lp-click

--

Figure 3: During the standard SPI write sequence, Cypress Semiconductor Excelon LP F-RAM devices immediately write data to the F-RAM array without any buffer or soak time delays associated with earlier NVM technologies. (Image source: Cypress Semiconductor) - https://www.digikey.com/en/articles/use-an-f-ram-to-build-ba...

--

Urządzenia pamięci F-RAM Excelon LP zapewniają wysoki poziom długoterminowej niezawodności, który znacznie przewyższa typową pamięć EEPROM czy flash. Urządzenia te charakteryzują się wytrzymałością 1015 cykli odczytu/zapisu i czasem przechowywania danych wynoszącym 151 lat, co przekracza realistyczny cykl życia niemal każdego urządzenia ubieralnego lub IoT.

Wydajność zapisu tych urządzeń zwiększa również ogólną niezawodność zastosowań. Ponieważ urządzenia te zapisują dane do macierzy nieulotnych pamięci F-RAM z prędkością magistrali, znacznie zmniejsza to prawdopodobieństwo utraty danych w porównaniu z innymi typami urządzeń NVM. Znacznie dłuższy czas zapisu w tych urządzeniach i związana z tym konieczność wewnętrznego buforowania danych tworzą duże okno narażenia danych na utratę w przypadku awarii zasilania przed zakończeniem sekwencji zapisu. - https://www.digikey.pl/pl/articles/use-an-f-ram-to-build-bat...

--

Bufor – obszar pamięci służący do tymczasowego przechowywania danych przesyłanych między dwoma systemami - https://pl.wikipedia.org/wiki/Bufor_(programowanie)#

--

https://pl.wikipedia.org/wiki/Buforowanie

geopiet
Native speaker of: Native in PolishPolish
PRO pts in category: 259
Login to enter a peer comment (or grade)



Login or register (free and only takes a few minutes) to participate in this question.

You will also have access to many other tools and opportunities designed for those who have language-related jobs (or are passionate about them). Participation is free and the site has a strict confidentiality policy.

KudoZ™ translation help

The KudoZ network provides a framework for translators and others to assist each other with translations or explanations of terms and short phrases.


See also:
Term search
  • All of ProZ.com
  • Term search
  • Jobs
  • Forums
  • Multiple search